2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合能耗小于9千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合能耗的增加幅度不得超過(guò)0.5千瓦時(shí)/千克；

　　3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合能耗小于50千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于45千瓦時(shí)/千克；

　　4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于60萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于55萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于40 萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35 萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；

　　5.電池項(xiàng)目平均綜合能耗小于15萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp；

　　6.晶硅電池組件項(xiàng)目平均綜合能耗小于8萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp；薄膜電池組件項(xiàng)目平均能耗小于50萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

　　（三）光伏制造項(xiàng)目生產(chǎn)水耗應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅項(xiàng)目水循環(huán)利用率不低于95%；

　　2.硅片項(xiàng)目水耗低于1400噸/百萬(wàn)片；

　　3.電池項(xiàng)目水耗低于1700噸/MWp。

　　（四）其他生產(chǎn)單耗需滿足國(guó)家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

　　四、環(huán)境保護(hù)

　�。ㄒ唬┬陆ê透臄U(kuò)建光伏制造項(xiàng)目應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行環(huán)境影響評(píng)價(jià)制度，未通過(guò)環(huán)境影響評(píng)價(jià)審批的項(xiàng)目不得開(kāi)工建設(shè)。按照環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”要求，項(xiàng)目配套建設(shè)環(huán)境保護(hù)設(shè)施應(yīng)依法申請(qǐng)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，驗(yàn)收合格后方可投入生產(chǎn)運(yùn)行。企業(yè)應(yīng)有健全的企業(yè)環(huán)境管理機(jī)構(gòu)，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開(kāi)展清潔生產(chǎn)審核。

　�。ǘ�）廢氣、廢水排放應(yīng)符合國(guó)家和地方大氣及水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)和總量控制要求；惡臭污染物排放應(yīng)符合《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB14554)，對(duì)產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應(yīng)符合《危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18597）和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18559）相關(guān)要求，SiCl4 等危險(xiǎn)廢物應(yīng)委托具備相應(yīng)處理能力的有資質(zhì)單位進(jìn)行妥善處置；廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB12348）。

　�。ㄈ�）鼓勵(lì)企業(yè)通過(guò) ISO14001 環(huán)境管理體系認(rèn)證、ISO14064 溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067 碳足跡認(rèn)證。

　�。ㄋ模┕夥�制造項(xiàng)目應(yīng)按照環(huán)境影響報(bào)告書（表）及其批復(fù)、國(guó)家或地方污染物排放（控制）標(biāo)準(zhǔn)、環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測(cè)方案，開(kāi)展自行監(jiān)測(cè)工作，公開(kāi)自行監(jiān)測(cè)信息。