這個(gè)過程的硅粉飛揚(yáng)，比較難以避免，比較好的辦法是在硅粉的上部，以比較碎的塊料（尺寸在10-30mm）之間，鋪上一層，厚度大約在50-100mm；這樣，即便粉料有飛濺，塊料可以擋住，使其不會(huì)濺得太遠(yuǎn)，而到達(dá)加熱體或保溫體。
　　此外，還有一個(gè)方法，使在硅粉裝好后，采用細(xì)鋼絲，在硅粉內(nèi)部等間距扎一些小孔，從頂部到底部，這樣，這些孔的周圍由于間隙較大，使硅粉不容易形成密閉的球團(tuán)，這經(jīng)過試驗(yàn)也是比較有效的方式。
　　第三個(gè)容易飛揚(yáng)硅粉的階段，是硅粉的熔化期。硅粉熔化時(shí)，一方面和上述燒結(jié)階段的現(xiàn)象相同，另一方面，在硅粉熔化階段，粉料表面的物質(zhì)尤其是粉料的氧化層，會(huì)與硅液發(fā)生反應(yīng)，生成一氧化硅氣體，以及其它的氣體，這些氣體也會(huì)以噴濺的形式產(chǎn)生，帶動(dòng)硅粉或者表面的硅液飛濺出來。由于這個(gè)時(shí)候，整個(gè)坩堝內(nèi)的硅料會(huì)比較集中地發(fā)類似的效應(yīng)，因此，雖然局部的效果不一定有前兩個(gè)階段嚴(yán)重，但總體效果可能這個(gè)時(shí)候噴濺是最厲害的。
　　這個(gè)階段的避免與第二個(gè)階段一樣，也是很難避免。同樣，硅粉上面鋪設(shè)硅料，和扎小洞的方式也有一定的效果。有一個(gè)工藝處理方式，可以供大家參考。就是，在加熱時(shí)控制功率不要過高，使溫度上升時(shí)間也比較緩慢（防止硅粉內(nèi)部語四周的溫差過大），在熔點(diǎn)之下的某個(gè)溫度，例如1380 ℃（也可以1400 ℃，但因?yàn)闇y溫點(diǎn)與四周有溫差，因此，過于接近熔點(diǎn)時(shí)，可能周圍的硅粉已經(jīng)熔化），保溫一段時(shí)間，使得整個(gè)坩堝內(nèi)的硅粉都達(dá)到1380 ℃，然后再升溫熔化。這樣，由于同步高溫，熔化的時(shí)間較短，因此，產(chǎn)生燒結(jié)和形成料殼的幾率都大大減小。這個(gè)工藝，經(jīng)過試驗(yàn)，也是有效的。
　　當(dāng)坩堝中的硅粉大部分熔化后，硅粉會(huì)形成粉團(tuán)漂浮在硅液表面，就像面粉在水里的情形類似。這些粉團(tuán)內(nèi)部因?yàn)榉哿辖^熱的關(guān)系，因此比較難以熔化，而且粉團(tuán)的表面溫度往往比硅液要低得多，當(dāng)粉團(tuán)的數(shù)量較多時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致測溫不準(zhǔn)，或者測溫點(diǎn)溫度波動(dòng)幅度較大。
　　為此，只能通過升高溫度的方法，將這些粉團(tuán)逐漸全部熔化， 直到表面變清澈再繼續(xù)進(jìn)行工藝。這也是為什么粉料的熔煉溫度要比塊料要高一些的原因。
　　有的人說，粉料熔化的硅所長的晶粒比較細(xì)小，這有些超自然的意味。但很有可能是熔化時(shí)，硅粉熔化不完全，導(dǎo)致硅液中仍有不少細(xì)小顆粒，因此，成核較多的原因。解決的方法，依然應(yīng)當(dāng)是高溫保持，確認(rèn)硅料熔化。而且在熔化后，最好還是在高溫區(qū)再等待一段時(shí)間，因?yàn)�，我們的觀察窗口僅僅能觀察到坩堝表面的很小一片，在周圍可能還有不少未熔化的硅粉。當(dāng)粉料的粉粒全部溶化時(shí)，粉料的冶煉就應(yīng)當(dāng)與塊料完全一樣了。

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