霧化cvd高速成膜 太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率提高1成！
“太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率最大提高了1成”——。東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出了通過(guò)將原料制成霧狀來(lái)形成薄膜的霧化CVD（化學(xué)氣相沉積）裝置“TMmist”。由于采用非真空工藝、不使用等離子體，因此有望減少裝置的設(shè)置面積和初期投資，并提高基材薄膜的特性。東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)將瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能
TMmist大致由（1）將原料制成霧狀的超聲波噴霧器、（2）向生產(chǎn)線上流過(guò)的寬1m左右的基板供應(yīng)霧狀原料的細(xì)長(zhǎng)整流噴嘴、（3）加熱基板的加熱器等構(gòu)成（圖1）。
具體操作過(guò)程如下。先由（1）超聲波噴霧器利用1.6M～2.4MHz超聲波將成膜原料溶液制成直徑數(shù)μm的霧狀液滴注1）。接著，將霧狀原料與載氣混合，輸送至（2）整流噴嘴，噴到基板上。然后，噴到基板上的原料（3）在加熱器產(chǎn)生的熱效應(yīng)下分解反應(yīng)，形成薄膜。
實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化時(shí)的最大課題是如何優(yōu)化對(duì)膜厚及膜質(zhì)不均問(wèn)題有重大影響的（2）整流噴嘴內(nèi)部構(gòu)造。這時(shí)需要利用整流噴嘴使霧化的原料均質(zhì)化，噴到基板上。東芝三菱電機(jī)系統(tǒng)在母公司三菱電機(jī)的研究所的協(xié)助下，對(duì)霧化原料的流動(dòng)與內(nèi)部構(gòu)造之間的關(guān)系進(jìn)行了反復(fù)分析。另外，還對(duì)（1）超聲波噴霧器使用的原料溶液的成分等實(shí)施了優(yōu)化，同時(shí)改進(jìn)了（3 ）加熱器的機(jī)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)了大面積基板的均勻加熱注2）。
注1）泄漏至裝置外部的超聲波數(shù)量符合制造設(shè)備業(yè)界團(tuán)體SEM（I SemiconductorEquipment and Materials International）的標(biāo)準(zhǔn)。
注2）在寬1m的基板上形成透明導(dǎo)電膜時(shí)，膜厚不均程度為±20％。通過(guò)在產(chǎn)生線上排列多個(gè)整流噴嘴、重復(fù)成膜，便可將成膜膜厚的不均程度降至±10％。
作者：河合 基伸 來(lái)源：日經(jīng)BP社 責(zé)任編輯：wutongyufg
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