（四）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：
　　1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；
　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于16和14PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于2和18PPMA；
　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17.5%和18.5%；
　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于15.5%和16%；
　　5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、11%、11%、10%。
　　6.含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權效率不得低于96%，不含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權效率不得低于98%。
　�。ㄈ�）光伏制造項目生產(chǎn)水耗應滿足以下要求：
　　1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%；
　　2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；
　　3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。
　�。ㄋ模┢渌�生產(chǎn)單耗需滿足國家相關標準。
　�。ㄎ澹┬陆ê透臄U建企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：
　　1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；
　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；
　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18.5%和20%；
　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；
　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。
　�。�六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內(nèi)分別不高于2.5%和3%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。
　　三、資源綜合利用及能耗
　�。ㄒ唬┕夥�制造企業(yè)和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。
　　（二）光伏制造項目能耗應滿足以下要求：
　　1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于65千瓦時/千克，綜合電耗小于120千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于55千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；
　　2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于8.5千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；
　　3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于45千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于40千瓦時/千克；
　　4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于45萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于40萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；
　　5.電池項目平均綜合能耗小于12萬千瓦時/MWp；
　　6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于6萬千瓦時/MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。

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作者： 來源：工信部 責任編輯：wutongyufg

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