到了161的時候，基本上我們幫助客戶做到400瓦到408瓦，166尺寸可以跨到420瓦到430瓦，這方面如果放疊瓦的話就有可能接近500瓦，這是下一步的話題。通過產(chǎn)品尺寸的更改和PERC工藝結(jié)合的話，鑄錠單晶預(yù)計可以在2019年中和年末幫助客戶實現(xiàn)400瓦組件的輸出和產(chǎn)品的輸出。

這是我們協(xié)鑫內(nèi)部所做的真實的組件功率的效果。我們做出來的組件，確確實實是直角結(jié)構(gòu)，無論是半片還是疊瓦，是沒有組件的留白。

同時我們對光衰做了測試，我們比直拉單晶低1/3左右。在成本方面，由于工藝的提升，加上采用鑄錠的方式，成本相對直拉單晶更有優(yōu)勢。這里對比一下為什么我們要推這樣一個產(chǎn)品，因為市場上大家也會提出一個疑問，如果是166的話，大家其實是有3個選擇，一個是多晶的166，一個是單晶的166，一個是鑄錠單晶的166，因為大家有三個選項的時候，大家就想到底哪一個更好。

從我們的結(jié)果來看，通過結(jié)合黑硅加PERC的工藝，如果多晶166只是想跨入400瓦的門檻，那么效率只要做到20.6%以上，結(jié)合半片技術(shù)做到400—405瓦輸出。單晶166雖然是單晶的尺寸，但是它有兩個選擇，一個是166的圓角，一個是166的方角。如果是圓角的話，跟方片相比，它的功率的輸出規(guī)律實際上至少減少5—7瓦。我們不確定廠商如何設(shè)計這樣一個尺寸，圓角率到底是多少，這個是不確定。如果能夠做166，我們鑫單晶肯定是方片，這是毫無疑問的，另外我的效率跟直拉單晶相比的話，差距一定可以做到0.3%以內(nèi)。如果是166的話，我們的鑫單晶G3H9可以實現(xiàn)420瓦功率的輸出，這在當(dāng)下是看得見，摸得著的產(chǎn)品。

然后我們要看看我們的效率是否跟得上我們行業(yè)效率提升趨勢。鋁背場是20%，然后PERC現(xiàn)在提升到22%以上，相信2019年隨著工藝的優(yōu)化，單晶硅PERC的工藝做到22.19%是可以實現(xiàn)的。然后是HJT中試或者是量產(chǎn)推出來。鑫單晶產(chǎn)品我們實現(xiàn)了多種工藝，包括PERC，鑫單晶可以兼容所有電池和組件的高效技術(shù)。當(dāng)然我們會和更多的廠商合作，在HJT的工藝上達到與單晶同樣效率，這將是我們接下來要做的工作。

回顧一下協(xié)鑫鑫單晶里程碑，一路走來很忐忑，2011年我們就開始做，在2011、2012年的時候，鑫單晶的產(chǎn)品確實跟現(xiàn)在來比有一定的差距，當(dāng)時還沒有PERC的工藝，在那個時候，單晶的性價比到了組件和系統(tǒng)端，實際上還不如多晶，加上沒有外部工藝來克服這一問題，所以那個時候產(chǎn)品的推廣面臨很大的壓力和阻力。

到了2017年，隨著PERC工藝的突飛猛進，加上多晶黑硅和PERC的成熟，我們才把這個產(chǎn)品在PERC端得到了大規(guī)模的應(yīng)用。當(dāng)時我和同事去美國，我們當(dāng)時心里沒底，不知道客戶是否喜歡這個產(chǎn)品，但是后來我們贏得了客戶的信賴，接到了訂單，幫助這個產(chǎn)品打開了光明的通道。

然后是穩(wěn)定性，大家說你是多晶工藝的產(chǎn)品，你在前面也做了電池的組件。到底這個產(chǎn)品在穩(wěn)定性方面如何呢？我們大概算了一下，保利協(xié)鑫在2017年之前我們出了500多兆瓦的硅片，組件的話，最早上線的已經(jīng)有8年了，我們后來取得了PHOTON的一個結(jié)果，這是沒有PERC工藝疊加的。從當(dāng)時來看，左邊是鑫單晶發(fā)電的輸出，大概是1.14輸出效率值。多晶是在1.13左右，所以基本上鑫單晶輸出的效率比是優(yōu)于多晶的輸出，但是前提是沒有做PERC。

為了推廣這一產(chǎn)品，我們就在徐州做了一個漁光互補的項目，三年前我們做了這樣一個雙波PERC的鑫單晶的項目，這是一個超前的項目，運行到現(xiàn)在，整個項目的發(fā)電情況還是非常好的，以后有機會，會把整個電站發(fā)電的情況給大家作詳細匯報。

前面提到我們?nèi)ッ绹�的展會推銷產(chǎn)品，我們也確確實實拿到了訂單，這是協(xié)鑫整個2019年，二季度以前我們的接單情況，一季度及二季度我們做到了600多兆瓦的訂單。為什么后期訂單增量降低了，因為這只是目前的數(shù)據(jù)，我們陸續(xù)還在更新。3月份以后，我們提到5000萬片/月的產(chǎn)能，才能滿足這樣一個交付期。

這是協(xié)鑫做的組件的分布情況，因為我們起步就是從157.75開始，即G3H3，而且當(dāng)時我們沒有導(dǎo)入到MBB的工藝，做的工藝就是365瓦檔位，當(dāng)MBB加上去，瓦數(shù)的主檔位就逐步地往370瓦去做，到了158.75的尺寸，瓦數(shù)就往380、385瓦提升。其實，在協(xié)鑫的電池廠我們已經(jīng)準備158.75的尺寸。

這是LID及LeTID的數(shù)據(jù)，第一張表是加入了多晶黑硅和普通直拉單晶，這是最早沒有加PREC的時候，比單晶好，比多晶差一些。然后到了PREC，它有光衰，初期是很大的問題，走到現(xiàn)在也沒有一個非常好的解釋的機理。現(xiàn)在大家可以看到，為了解決LID和LeTID，電池廠也用不同的技術(shù)來解決這樣一個問題，這里我就不去說哪個工藝好和不好，我們只是從我們測試的結(jié)果來看。鑫單晶的話，跟多晶黑硅和單晶相比，從目前來看的話，在高檔位的組件上，我們的光衰在0.8%是沒有問題的，這是優(yōu)于目前市場上所有的組件。為什么？因為鑫單晶氧含量做得好。普通直拉單晶12ppma左右，鑫單晶我們把氧含量控制在5ppma左右，所以我們有信心保證產(chǎn)品在客戶的長期使用衰減是有優(yōu)勢的。

這是我們升級的一些措施，從制造端開始，我們把熱場包括對流，包括整個的工藝，包括我們的后端規(guī)定的分選都做了很大的一個調(diào)整。

首先是晶花，以前做過的就知道，協(xié)鑫的產(chǎn)品一類、二類、三類，我們晶花分得多，90%的一類，然后定一個中間產(chǎn)品，然后50%以內(nèi)的定三類，現(xiàn)在我們只有兩類，我把單晶面積大于99%的定義為一類，其他的全部歸于三類，我們也把我們Hennecke做了分級，以及實時在線檢測，不需要人工干預(yù)。

然后是電阻率，我們基本上跟著單晶PERC的要求做調(diào)整，我們的規(guī)格是0.5—1.6，但是實際的不會超過1.5。我們也有信心把電阻率的范圍變窄，我會根據(jù)客戶的要求來把握客戶的產(chǎn)品規(guī)格，確保客戶得到更好的收益。

最后我要強調(diào)的是PL缺陷。這次的鑫單晶推出，解決了長期以來困擾我們的一個產(chǎn)品問題。因為做的時候產(chǎn)生頭部的位錯比較多，如何把這個挑出來？第一步定檢階段，我們在定檢端做檢測。然后在片檢端利用PR模組，將超規(guī)的挑出來，這使得它能滿足客戶的需求。這也是我們組件的實景。

這就是EL，這也是大家關(guān)注的重點，這個我對比了鑫單晶和多晶的EL，其實很多人覺得鑫單晶EL差，因為你是拿現(xiàn)在的鑫單晶EL和單晶PERC比，它確實是差一點，但是拿它和多晶比，單晶的EL比多晶的EL又要好很多。因為產(chǎn)品特性不同，沒有太多的可比性。

最后我也感慨一下，因為2019年對光伏而言是一個比較殘酷的年份，但是我覺得在這一殘酷年份里面，我們反而有更多的期待，期待更多的產(chǎn)品和技術(shù)能夠在市場得到大部分的應(yīng)用，謝謝大家！