最后看一下看一下多晶、鑫單晶LeTID的結(jié)果，上午幾位專家都講述了很不錯的研究結(jié)果，我們可以看一下光衰的結(jié)果。

光衰處理，很明顯的光衰衰減情況，在400小時以后就已經(jīng)衰減很厲害了。上面兩根，一根紅線，一根綠線虛線的情況下是高效多晶衰減情況，經(jīng)過1000小時，一千瓦的光照幅度，75度的基礎(chǔ)下，可以控制在2%以內(nèi)的光衰水平。同時，鑫單晶的光衰在同樣條件下，是控制在2.5%以內(nèi)。這里想強調(diào)的一點，鑫單晶的光衰條件和高效多晶的光衰條件不一樣，我們在工藝上可能是溫度更高一點，這個會最終影響光衰的情況。

不管怎么說，大家知道電池的光衰是在一個開路電壓狀態(tài)下來測試的，這種情況下，相比于組件高功率點一個光衰測試，它的衰減是最大的。這樣的測試條件，在組件端測試下是更容易通過的，在電池端是最嚴(yán)苛的，能通過的話后續(xù)組件的長期表現(xiàn)是沒有問題的。鑫單晶室外首年衰減比例的標(biāo)準(zhǔn)，協(xié)鑫可以完全滿足。

總結(jié)一下，目前協(xié)鑫集成在多晶黑硅平均量產(chǎn)效率達到21%，60片組件功率超過300瓦，鑫單晶目前是平均效率是21.8%-21.9%，對應(yīng)72片組件功率在370瓦以上。同時今年多晶PERC黑硅量產(chǎn)目標(biāo)在21.5%的水平，鑫單晶可以達到22.2%-22.3%的水平。同時多晶PERC光衰有比較成熟的產(chǎn)業(yè)化手段。鑫單晶在這個基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化，也可以完全達到后續(xù)的標(biāo)準(zhǔn)。謝謝各位！