1月14日保利協(xié)鑫能源發(fā)布公告稱(chēng),公司以每股1.08港元配售39億新股,配售價(jià)較前一交易日收市價(jià)1.23港元折讓約12.2%,配售股份占該公司經(jīng)擴(kuò)后股本約15.57%。本次配售預(yù)計(jì)募集資金42.12億港元,用于顆粒硅項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)。保利協(xié)鑫能源預(yù)期至2020年底,硅烷流化床法(FBR)顆粒硅的有效產(chǎn)能將由目前6000噸提升至100
1月14日保利協(xié)鑫能源發(fā)布公告稱(chēng),公司以每股1.08港元配售39億新股,配售價(jià)較前一交易日收市價(jià)1.23港元折讓約12.2%,配售股份占該公司經(jīng)擴(kuò)后股本約15.57%。本次配售預(yù)計(jì)募集資金42.12億港元,用于顆粒硅項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)。
保利協(xié)鑫能源預(yù)期至2020年底,硅烷流化床法(FBR)顆粒硅的有效產(chǎn)能將由目前6000噸提升至10000噸。
20年9月以來(lái),保利協(xié)鑫啟動(dòng)了多個(gè)顆粒硅項(xiàng)目的建設(shè)。先是在9月8日,公司旗下江蘇中能規(guī)劃產(chǎn)能10萬(wàn)噸、首期5.4萬(wàn)噸顆粒硅項(xiàng)目正式開(kāi)工擴(kuò)建,而該項(xiàng)目也是全球單體最大規(guī)模的顆粒硅項(xiàng)目。第一階段于2021年6月年產(chǎn)能擴(kuò)至3萬(wàn)噸,第二階段是到2021年底年產(chǎn)能擴(kuò)至5.4萬(wàn)噸。
顆粒硅簡(jiǎn)介:硅烷法生產(chǎn)的顆粒狀多晶硅
多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門(mén)子法和硅烷法。西門(mén)子法通過(guò)氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中,使硅烷裂解并在晶種上沉積,從而得到顆粒狀多晶硅。
目前世界上絕大部分廠家均采用改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅。改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅是目前最為成熟、應(yīng)用最廣泛、擴(kuò)展速度最快的技術(shù)。
2017年,保利協(xié)鑫以1.5億美元的全現(xiàn)金方式收購(gòu)SunEdison,保利協(xié)鑫將獲得電子級(jí)硅烷流化床顆粒硅技術(shù)及資產(chǎn)、第五代CCZ連續(xù)直拉單晶技術(shù)及資產(chǎn)、包含相關(guān)設(shè)備及知識(shí)產(chǎn)權(quán)等。
2019年,保利協(xié)鑫實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化及關(guān)鍵材料替代,主編國(guó)內(nèi)顆粒硅國(guó)標(biāo)行標(biāo),實(shí)現(xiàn)FBR裝置長(zhǎng)周期運(yùn)行及品質(zhì)突破,完全滿(mǎn)足主流市場(chǎng)單晶硅料需求。
顆粒硅的優(yōu)勢(shì):
成本更低:流化床工藝反應(yīng)溫度更低
改良西門(mén)子法多晶硅生產(chǎn)的西門(mén)子工藝,其原理就是在1100℃左右的高純硅芯上用高純氫還原高純?nèi)葰涔瑁啥嗑Ч璩练e在硅芯上。流化床技術(shù)反應(yīng)溫度為730℃左右。
成本更低:折舊、電耗更低
相比傳統(tǒng)工藝,F(xiàn)BR不僅生產(chǎn)技術(shù)流程更短、后處理工序更少,還將使投資強(qiáng)度下降30%,生產(chǎn)電耗降低約65%,項(xiàng)目人員需求降低30%。目前大全新能源投資在10億元/萬(wàn)噸,投資強(qiáng)度比較大,折舊占比高。以大全新能源的2020年Q3為例,多晶硅折舊成本占比為16%。
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):達(dá)到電子級(jí)標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足光伏級(jí)要求
美國(guó)MEMC顆粒硅能達(dá)到電子級(jí)標(biāo)準(zhǔn),用于半導(dǎo)體用單晶生產(chǎn)中。
性能更優(yōu):?jiǎn)尉нB續(xù)投料的優(yōu)選
顆粒料的易流動(dòng)性給直拉單晶帶來(lái)附加價(jià)值:
1、減少了破碎環(huán)節(jié),塊狀硅需要破碎,破碎成本1-3元/公斤;
2、對(duì)石英加料筒的內(nèi)壁沖擊損耗低,延長(zhǎng)石英筒使用壽命;
3、顆粒硅填充性好,加料桶可以多裝15-20%的顆粒硅,避免大塊料堵塞的問(wèn)題;
4、可以結(jié)合自動(dòng)加料到加料筒,也能使用外置復(fù)投裝置,節(jié)省人力和加料時(shí)間。
性能更優(yōu):顆粒硅能滿(mǎn)足CCZ直拉單晶
直拉單晶工藝分為RCZ(多次拉晶)和CCZ(連續(xù)直拉)。CCZ法在坩堝所允許的壽命周期內(nèi)可完成8-10根的晶棒拉制,而RCZ目前僅可完成4-5根拉制。
移動(dòng)式自動(dòng)復(fù)投技術(shù)是CCZ與RCZ的核心差異,目前FBR(硅烷流化床法)生產(chǎn)的高品質(zhì)顆粒硅產(chǎn)品可作為CCZ的最佳用料。
作者: 來(lái)源:格隆匯
責(zé)任編輯:jianping